内存时序的单位为时钟周期,格式为4个由破折号连接的数字,我们不需要记住每个数字代表的意思,只要知道时序越低越好就可以。
内存时序4个数字对应的参数按照顺序分别为CL、tRCD、tRP、tRAS,这四个代号全是缩写,第一个CL即CAS Latency,它描述的是内存列地址访问的延迟时间,这也是时序中最重要的参数;第二个tRCD,即RAS to CAS Delay,是指内存行地址传输到列地址的延迟时间;第三个tRP,即RAS Precharge Time,表示内存行地址选通脉冲预充电时间;第四个tRAS,即RAS Active Time,描述的是行地址激活的时间。
虽然不用知道这四个值的具体意义,但也容易发现,内存的时序越低,意味着内存的响应速度越快,也就可以有更强的性能。
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