DDR5内存的问世，让更多人开始关注内存产品在频率上的更新换代，动辄5000MHz起步的高频设计，确实在数值上给人以震撼和惊艳，内存条c14,c16,c18是什么意思，也似乎成为了很多用户选购内存产品的不二标准。从而忽视了在内存产品中，一个极为重要的参数设计，即时序。
也就是各大内存产品上标注的“40-40-40-77”的一连串数值，有高有低。不同产品的数值，还会出现显著的差异，几乎一个产品一个数值；面对这一连串规律不定的数值，很少有人会关注它们的差异和探究它们到底是啥作用，今天咱们就来盘一盘内存时序。
01 时序到底是什么？
同时，影响内存延迟，或者说描述延迟的时序种类有很多，我们常规产品上列出的4种，是对内存影响最大，最为显著的部分。
内存时序
02 时序是如何影响工作
理解了主要的时序含义之后，我们还需要明白内存和CPU之间的联结原理，才能真正明白主要时序对于内存性能的影响。
如果是安装在电脑上的内存条，看时序就简单多了，直接在软件“CPU-Z”里的“SPD”选项卡里看即可，如下图，这根内存条工作在xmp 3000mhz频率时时序是15-16-16-36
当CPU下达搜索A文件时，内存需要要先确定数据具体在围棋格子中的哪一行，那么时序的第二个参数tRCD就代表这个时间，简单来说就是是内存收到行的指令后，需要等待多长时间才能访问这一行。值得注意的是，由于每一行中数据量十分庞杂，在内存第一步工作中无法准确定位，只能是预估，因而还需要第二步才能完成指令。
三星内存条怎么看时序：第一时序，通常会打印成标签贴在内存颗粒上，就是你买内存看到的那四个参数，CL，tRP，tRCD，tRAS。
当内存确定了A文件在哪一行之后，就需要确认数据在哪一列，只有当行和列全部都确定后，才能锁定A文件的具体地址；而确定列的等待时间，便是时序中CL，换言之就是内存确定行数之后，还需要多久才能访问具体的列。
至于第三个参数，指的是确认了第一行数值后，再确定另外一行所需要等待的时间（时间周期）。
第四个tRAS部分，则是指整个内存完成命令后的总和，它的数值约等于前三个数值的总和，当然时序越高的情况下，他们的差异越巨大。
内存的时序是以时钟周期来衡量的，大家可能在内存条的产品页面上看到一串由破折号分隔的数字，比如16-18-18-38，这些数字便被称为内存时序。本质上来讲，由于它们代表了延迟，所以时序自然越低越好。这四个数字代表了所谓的。
03 D4和D5的时序对比
下面我们就通过DDR4和DDR5两种不同内存的时序，探究D4和D5内存的差异。
“40-40-40-77”是某品牌5200MHz的D5产品时序设计，“16-16-16-36”则是该品牌4000MHz的D4产品时序设计。
这也就是为什么众多D5内存，暂时并没有被大量玩家接受的原因。
问题一：内存时序怎么看 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to。
频率的增长并不能显著提升用户体验，而过高的延迟却如同定时炸弹，不经意间对用户体验产生影响，想要更高频率，同时降低时序，可能是今后内存行业一直需要探索的重要课题。
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内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式。分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有。
