1n4007串联降压，接着上一篇的改造“”经验，发现存在待机耗电问题，分析原因应该是降压模块一直在工作，损耗较大，所以接下去的改造就是想办法替换掉现有的降压模块。
降压模块替换方案寻找：
通过万能的互联网，找到了更加简单的降压方案。先看一下IN4007二极管的参数：
基本参数
发光二极管可以降压，因制造是所用材料不同，降压幅度不同一般在0.7-3v之间。
较强的正向浪涌承受能力：30A
最大正向平均整流电流：1.0A
极限参数为VRM≥50V
普通二极管是硅材料一个0.7压降，两个就是1.4V 硝基特单个是0.52最低是0.2V，串联就是单管压降乘2 锗材料的更低。
最高反向耐压：1000V
两个电阻上的压降就是电源电压减去二极管压降，即两个电阻上的压降是10-0.7=9.3V；两个电阻的电流就是9.3V除以两个电阻的串联值即20Ω，即电流I=9.3/20=0.465A 两个电阻两端电压分别为U=IR=0.465*10=4.
最大反向漏电流：5uA
正向压降：0.7V
最大反向峰值电流：30uA
典型热阻：65℃/W
典型结电容：15pF
工作温度：－50℃～+150℃
IN4007的性能图
重新改造：
从新买了一包IN4007二极管，如下图
把原来的降压模块去掉，串联一个IN4007二极管，线路图如下所示：
可以降压！但应该有前提？比如把220V用二极管降压1/2，负载就不能是变压器等电感负载！它只适应电阻性负载！比如白炽灯泡，电热毯等。在直流上应用每只二极管也只能提供0.6V的降压！仅供参考 。
总结
当然可以！理论上硅二极管电压降为0.7V，锗管为0.3V，实际中硅管有可能达到1V或1V以上，这个有具体二极管来决定。
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